| 型号： | DMG1026UV-7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| DMG1026UV-7 PDF |  |
| 产品变化通告 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.8 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 32pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 580mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | DMG1026UV-7DITR |